SI1071X-T1-GE3
Electro-Films (EFI) / Vishay
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI1071X-T1-GE3
| Artikelnummer: | SI1071X-T1-GE3 |
|---|---|
| Hersteller / Marke: | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Teil der Beschreibung.: | MOSFET P-CH 30V 0.96A SC89-6 |
| Datenblätte: |
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| RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
| ECAD -Modell: | |
| Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
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Electro-Films (EFI) / Vishay SI1071X-T1-GE3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI1071X-T1-GE3.Produkteigenschaften Eigenschaften VGS (th) (Max) @ Id 1.45V @ 250µA Vgs (Max) ±12V Technologie MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device-Gehäuse SC-89-6 Serie TrenchFET® Rds On (Max) @ Id, Vgs 167 mOhm @ 960mA, 10V Verlustleistung (max) 236mW (Ta) Verpackung Cut Tape (CT) Verpackung / Gehäuse SOT-563, SOT-666 Andere Namen SI1071X-T1-GE3CT Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) Befestigungsart Surface Mount Produkteigenschaften Eigenschaften Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL) 1 (Unlimited) Bleifreier Status / RoHS-Status Lead free / RoHS Compliant Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 315pF @ 15V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 13.3nC @ 10V Typ FET P-Channel FET-Merkmal - Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 10V Drain-Source-Spannung (Vdss) 30V detaillierte Beschreibung P-Channel 30V 236mW (Ta) Surface Mount SC-89-6 Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C - SI1071X-T1-GE3 Einzelheiten PDF [English] SI1071X-T1-GE3 PDF - EN.pdf -
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